瞧一瞧：日本研发制造高质量氮化镓晶体的新方法 可用于下一代功率半导体设备

盖世汽车讯氮化镓（GaN）晶体是1种很有发展前景的材料，可用于研发下1代功率半导体装备。据外媒报导，日本国家材料科学研究所（NIMS）与东京工业大学（TokyoTech）农村房屋不同意可以强拆吗
研发了1种生长高质量GaN晶体的技术，与现有技术生长的GaN晶体相比，新技术制成的GaN晶体缺点会少很多。与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同，新技术采取了1种涂有合金薄膜的基底，以避免溶液中不合乎需求房子被强拆起诉期限是多久
的杂质被困到生长的晶体中。

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用于下1代功率半导体装备中，以用于车辆和其他用处。不过，传统的GaN单晶体生长技术会将气态原材料喷到基底上，致使了1个主要的缺点：会在晶体内部构成很多原子大小的缺点（包括位错）。当有位错缺点的GaN晶体被集成至功率装备中时，会有泄漏的电流穿过该装备，从而破坏装备。

GaN晶体生长技术原理图（图片来源：日本国家材料科学研究所）

为了解决这1问题，研究人员研发出两种替换性晶体合成技术：氨热合成法和钠助熔剂法。此两种方法都让晶体在含有晶体生长原材料的溶液中生长。虽然钠助熔剂生长法已被证实能够有效地避免位错的构成，但是会致使1个新问题：生长的晶体会含有杂质（溶液成份构成的团块）。

在日本科学家进行的项目中，研究人员制造了1种GaN晶体，同时成功地在GaN种子基底上涂上了由晶体生长原材料（如镓和钠）构成的液态合金，从而禁止了杂质被困在生长的晶体中。另外，科学家还发现，该技术能有效地减少位错的构成，从而合成高质量的晶体。该技术只需要1个简单的工艺，在大约1小时内就能够制成高质量的GaN基底。

日本科学家们研发的该项技术提供了1种新方法，用于为下1代功率半导体装备生产高质量GaN基底。目前，研究人员制作通过生长小尺寸的晶体来验证该技术的有效性，未来，他们计划将其发展成1种实用性技术，以合成更大的晶体。

（HN666）

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